核心优势

• 21.9^%

  高效率

• 1.6^°C

  半片设计

  降低组件温度1.6°C

• 

  无损切片技术

  有效降低热斑损失

• 

  多主栅技术

  有效减少功率损失

• 

  双面电池

  更高内部收益率

• 

  低衰减,

  掺嫁技术，衰减更小